次世代パワーエレクトロニクス技術セミナー の ご案内
地球温暖化抑制の観点から、再生可能エネルギーが注目されています。再生可能エネルギーは、より効率的な利用が求められています。電力の効率的な利用を目的として、従来のSiに代わり、SiCやGaNといった新しいパワーデバイスが注目されています。大学での取組および企業での取組を通じて新しいパワーデバイス使用上の課題とその対応策について発表いただきます。また、パワーエレクトロニクスについての取組例について紹介させていただきます。
1.日 時: 平成25年11月19日(火) 13:30~16:30
2.会 場: 新潟県工業技術総合研究所 1階講堂
(〒950-0915 新潟市中央区鐙西1-11-1)
3.タイムスケジュール:
1) 13:30-13:35 あいさつ 工業技術総合研究所
2) 13:35-14:35 講演1、質疑応答
演題:「SiCデバイスの課題とその対応」
講師:静岡大学 大学院工学研究科 電気電子工学専攻 教授 野口 季彦 氏
3) 14:35-15:35 講演2、質疑応答
演題:「新素材デバイスを製品に応用するためには」
講師:長岡パワーエレクトロニクス株式会社
代表取締役 社長 大沼 喜也 氏
4) 15:35-15:50 休憩
5) 15:50-16:10 パワーエレクトロニクス関連調査報告 工業技術総合研究所
6) 16:10-16:30 ディスカッション
SiC、GaNとは:
従来パワーデバイス材料のSiに対して、パワーデバイスに必要な特性(1.高耐圧、2.高速スイッチング、3.耐熱性)に優れた新材料のこと。 |
4.参加費: 無料
■開催案内パンフレット・参加申込書 (PDF:144 kB)
《申込み・問い合わせ先》
新潟県工業技術総合研究所 研究開発センター 担当:五十嵐
〒950-0915 新潟市中央区鐙西1-11-1
TEL:025-247-1320 FAX:025-241-5018
E-mail: |