次世代パワーエレクトロニクス技術セミナーのご案内

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第3回　次世代パワーエレクトロニクス技術セミナー　の　ご案内

　地球温暖化抑制の観点から、再生可能エネルギーが注目されています。再生可能エネルギーは、より効率的な利用が求められています。電力の効率的な利用を目的として、従来のSiに代わり、SiCやGaNといった新しパワーデバイスが注目されてます。

　今年度一年間をかけて工業技術総合研究所で行ってきた次世代パワーエレクトロニスに関しての調査、実験、開発等の取組について、発表させていただきます。

日　時

平成26年3月4日（火）　１４：００～１６：００

会　場

新潟県工業技術総合研究所 3階 301会議室
（新潟市中央区鐙西1-11-1）

タイム
スケジュール

１）あいさつ工業技術総合研究所（14:00-14:10）
２）報告（14:10-15:20）
　演題「次世代パワーエレクトロニクス研究会活動報告」
　講師：工業技術総合研究所　職員
３）休憩（15:20-15:30）
４）質疑応答およびディスカッション（15:30-16:00）

次世代パワーエレクトロニスとは：
従来のパワーデバイス材料の Si に対して、パワーデバイス必要な特性（１．高耐圧、２．高速スイッチング、３．耐熱性）に優れた次世代材料（SiCやGaNなど）を用いたパワーデバイスもしくはそれらを用いた技術のこと

参加費

無料

申込方法

下記申込書に記載し、電子メールか FAXでお申込みください。

◆ お申し込み、問い合わせ先 ◆
新潟県工業技術総合研究所　研究開発センター　担当：五十嵐
〒950 -0915 新潟市中央区鐙西 1-11 -1
TEL:025 -247 -1320 　FAX:025-241 -5018
E-mail :